삼성전자 반도체 평택 공장,한미 두 정상과 이재용 부회장
취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 이재용 부회장의 안내를 받으며 공장을 시찰하고 있다.
현재 평택 1라인(P1)과 2라인(P2)이 가동 중이며, 3라인은 공사가 진행 중이다.두 정상은 1라인과 3라인을 찾아 반도체 공정과 시제품 등에 대한 설명을 들은 것으로 전해졌다.
이날 공장 내부에 마련된 단상에는 바이든 대통령을 환영하는 의미에서 삼성전자 직원 가운데 미국 국적을 가진 30여명이 참석했다.
양국 정상이 찾은 삼성 평택 공장은 축구장 400개를 합친 규모의 세계 최대 반도체 생산기지로, 차세대 메모리(D램·낸드)와 초미세 파운드리(반도체 위탁생산) 제품을 생산한다.
삼성전자는 조만간 세계 최초로 양산 예정인 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품을 선보였고, 두 정상은 방명록 대신 이 반도체 웨이퍼에 서명했다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다.
삼성전자는 이런 최첨단 공정을 앞세워 미국의 퀄컴 등 팹리스(설계)들의 첨단 반도체 수요에 적극 대응한다는 계획이며,
미국 텍사스주 테일러시에 총 170억달러(약 20조원)를 투자해 신규 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 짓겠다고 발표했고, 착공을 앞둔 상태다.
바이든 대통령은 이날 연설에서 삼성전자의 테일러시 공장 투자에 대해 감사를 표한 뒤 "테일러시에서 세계 최고의 반도체들이 생산될 것으로 믿으며 이 투자를 통해 텍사스에 3천개의 새로운 첨단 일자리가 생기고, 삼성이 이미 미국에서 창출한 일자리 2만개에 더해질 것"이라고 말했다.
삼성은 바이든 대통령의 방한을 계기로 미국 내 반도체 업계에 520억달러(약 66조원)를 지원하기 위한 법안이 조속히 미 의회를 통과하고, 미국 파운드리 공장 건설도 탄력을 받기를 기대하고 있다.
이 부회장은 이번 행사의 중요성을 의식해 전날 평택 공장을 미리 찾아 동선을 점검하는 등 행사 준비에 만전을 기한 것으로 전해졌다.
경계현 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문장(대표이사), 이정배 메모리사업부장, 박용인 S.LSI사업부장, 최시영 파운드리사업부장 등 반도체 부문 임원들과 삼성전기[009150] 장덕현 대표, 삼성디스플레이 최주선 대표, 삼성SDI[006400] 최윤호 대표 등 계열사 사장단도 평택에 집결했다.
미국은 반도체 공급망에서 중국에 대한 의존도를 줄이려고 하는 시점에서 한국의 역할이 무척 중요할것이다 이번 방문은 반도체 공급망에서 삼성의 얼마나 중요한 위치인지를 말해주며 미국과 함께 가자는 메시지를 주는것으로 미국에 대한 투자를 지속해달라는 의미도 있어보인다.